快讯摘要

随着AI技术飞速发展，高性能存储器需求激增，HBM市场迎来爆发式增长。海力士计划投资10亿美元扩大产能，预计2024年底翻倍，2030年出货量达1亿颗。三星也将投资千亿元建设新封装线，2024年出货量提升2.5倍。国内供应链如通富微电、长电科技等有望受益。尽管市场存在风险，如AI发展不及预期等，但HBM技术的高带宽、高容量解决方案为AI算力芯片带来新机遇。

快讯正文

【AI算力需求激增，HBM市场迎来爆发式增长】随着人工智能技术的迅速发展，对高性能存储器的需求也在日益增长。据悉，高带宽存储器（HBM）的年需求增长率预计将达到40%，而国内外相关企业正纷纷加大投资，以应对这一市场变化。HBM技术通过先进的封装技术实现多个DRAM的垂直堆叠，为高性能AI算力提供了高带宽、高容量、低延时和低功耗的解决方案。目前，HBM技术已经发展到第四代，而海力士的HBM3E预计将在2024年3月实现量产。这一新一代产品将为AI算力芯片提供更高的性能。为满足市场需求，海力士计划投资10亿美元扩大HBM产能，预计到2024年底产能将翻倍，2030年出货量有望达到1亿颗。同时，三星也计划投资7000-10000亿韩元建设新的封装线，预计2024年出货量将提升2.5倍。国内供应链有望从这一市场变革中受益。先进封装相关企业如通富微电(002156)、长电科技(600584)等，以及封装设备制造商如拓荆科技、芯源微等，都有望在HBM市场的快速增长中获得更多商机。然而，市场也存在一定的风险，包括AI产业发展不及预期、国产化进程缓慢以及国际局势不稳定等因素。投资者在关注市场机遇的同时，也需密切关注这些潜在风险。和讯自选股写手风险提示：以上内容仅作为作者或者嘉宾的观点，不代表和讯的任何立场，不构成与和讯相关的任何投资建议。在作出任何投资决定前，投资者应根据自身情况考虑投资产品相关的风险因素，并于需要时咨询专业投资顾问意见。和讯竭力但不能证实上述内容的真实性、准确性和原创性，对此和讯不做任何保证和承诺。